机构

• 半导体研究所 [17]

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• OAI收割 [14]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [8]
• 半导体材料 [6]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of nanoparticle research, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 13, 13, 期号: 1, 页码: 185-191, 185-191 作者:  Wang ZG;  Wang SJ;  Zhang CL;  Li JB;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY  Twinned Sic Nanowires  Electronic Properties  Ab Initio  Modeling And Simulation  Silicon-carbide Nanowires  Field-emission Properties  Molecular-beam Epitaxy  Inas Nanowires  Growth  Nanotubes  Nitride  Diffusion  Nanorods  Energy   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文  OAI收割 acta materialia, ACTA MATERIALIA, 2010, 2010, 卷号: 58, 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971, 1963-1971 作者:  Wang ZG;  Li JB;  Gao F;  Weber WJ;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：62/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular Dynamics  Chemical-vapor-deposition  Ab-initio Calculations  Beta-sic Nanowires  Low-temperature  Thin-films  Simulation  Elasticity  Nanotubes  Polytypes  Growth  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH   Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 作者:  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Huo, Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Hvpe  Gan  Sapphire  Nonpolar  Semipolar   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279 Feng W; Li Y; Feng YY; Wu J 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/11 NONCOVALENT SIDEWALL-FUNCTIONALIZATION  PHOTOVOLTAIC DEVICES  POLYMER COMPOSITES  THIN-FILMS  DYE  IMMOBILIZATION  PHTHALOCYANINE  POLYANILINE  CELLS   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM   Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 作者:  Shen, XM;  Fu, Y;  Feng, G;  Zhang, BS;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Transmission electron microscopy  X-ray diffraction  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic vapor phase epitaxy  Cubic gallium nitride   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy  X-ray diffraction  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic vapor phase epitaxy  cubic gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC GAN  PHASE EPITAXY  REDUCTION  GROWTH