机构

• 物理研究所 [15]
• 近代物理研究所 [5]
• 金属研究所 [4]
• 计算技术研究所 [4]
• 高能物理研究所 [3]
• 中国科学院大学 [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [36]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [34]
• 会议论文 [2]
• 专利 [1]
• 专著 [1]
• 其他 [1]

发表日期

• 2023 [1]
• 2022 [2]
• 2021 [1]
• 2020 [3]
• 2019 [5]
• 2018 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An Energy-Efficient Computing-in-Memory (CiM) Scheme Using Field-Free Spin-Orbit Torque (SOT) Magnetic RAMs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON EMERGING TOPICS IN COMPUTING, 2023, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 331-342 作者:  Wu, Bi;  Zhu, Haonan;  Reis, Dayane;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/12/04 Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Torque  Microprocessors  Adders  Simulation  Computing-in-memory  full adder  magnetic random access memory  spin orbit torque (SOT)  XNOR/XOR   Field-Free Spin-Orbit Torque Switching of Perpendicular Magnetization by Making Full Use of Spin Hall Effect 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 页码: 8 作者:  Song, Yuhang;  Dai, Zhiming;  Liu, Long;  Wu, Jinxiang;  Li, Tingting   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2023/05/09 field-free switching  perpendicular magnetic anisotropy  spin Hall effect  spin-orbit torque  spin-polarized electrons   Field-Free Spin-Orbit Torque Switching of Perpendicular Magnetization by Making Full Use of Spin Hall Effect 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 页码: 8 作者:  Song, Yuhang;  Dai, Zhiming;  Liu, Long;  Wu, Jinxiang;  Li, Tingting   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2023/05/09 field-free switching  perpendicular magnetic anisotropy  spin Hall effect  spin-orbit torque  spin-polarized electrons   Prototype Design of a Domain-Wall-Based Magnetic Memory Using a Single Layer La0.67Sr0.33MnO3 Thin Film 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 20, 页码: 23945--23950 作者:  BSRF用户   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/09/15 Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669 作者:  Wu, Bi;  Wang, Chao;  Wang, Zhaohao;  Wang, Ying;  Zhang, Deming   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/12/01 Random access memory  Magnetic tunneling  Switches  Reliability  Tunneling magnetoresistance  Metals  Transistors  SOT-MRAM  low power  high speed  high reliability   Field-Free Switching of a Spin-Orbit-Torque Device Through Interlayer-Coupling-Induced Domain Walls 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 10 作者:  Zhao, Xiaotian;  Ji, Lianze;  Liu, Wei;  Li, Shangkun;  Liu, Long   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 Field-Free Switching of a Spin-Orbit-Torque Device Through Interlayer-Coupling-Induced Domain Walls 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 4 作者:  Zhao, Xiaotian;  Ji, Lianze;  Liu, Wei;  Li, Shangkun;  Liu, Long   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/01/11 Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7 作者:  Zhao, P. X.;  Liu, T. Q.;  Cai, C.;  Li, D. Q.;  Ji, Q. G.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/01/19 MTJ damage  Heavy ion  Displacement damage  Hard bit error  Annealing effect   An Adaptive Thermal-Aware ECC Scheme for Reliable STT-MRAM LLC Design 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1851-1860 作者:  Wu, Bi;  Zhang, Beibei;  Cheng, Yuanqing;  Wang, Ying;  Liu, Dijun   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/12/10 Error correction code (ECC)  last level cache (LLC)  reliability  spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)  temperature   Lowering critical current density for spin-orbit torque induced magnetization switching by ion irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Yun, Jijun;  Xi, Li;  Liu, Jie;  Zhang, Shengxia;  Chang, Meixia   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/11/10