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2011 [24]
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发表日期:2011
学科主题:Physics
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Combined local search strategy for learning in networks of binary synapses
期刊论文
OAI收割
EPL, 2011, 卷号: 96, 期号: 5, 页码: 58003
作者:
Zhou, HJ
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提交时间:2013/05/17
PERCEPTRON PROBLEM
MEMORY
RULES
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
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提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3
作者:
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提交时间:2012/11/29
(60)Co gamma
total-dose irradiation damage effects
SRAM-based FPGA
CMOS cell
Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 70211
Du,XF
;
Zhang,T
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Song,ZT
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Liu,WL
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Liu,XY
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Gu,YF
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Lv,SL
;
Xue,WJ
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Xi,W
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提交时间:2012/04/10
JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
Al1.3Sb3Te material for phase change memory application
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: 43105
Peng,C
;
Song,ZT
;
Rao,F
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Wu,LC
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Zhu,M
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Song,HJ
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Liu,B
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Zhou,XL
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Yao,DN
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Yang,PX
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Chu,JH
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS
A Compact Spice Model with Verilog-A for Phase Change Memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 18501
Cai,DL
;
Song,ZT
;
Li,X
;
Chen,HP
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Chen,XG
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 110, 期号: 9, 页码: 94318
Li,XL
;
Rao,F
;
Song,ZT
;
Zhu,M
;
Liu,WL
;
Sun,ZM
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
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Chen,M
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Bi,DW
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Ning,BX
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Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 14, 页码: 145102
Lu,YG
;
Song,SN
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Song,ZT
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Wu,LC
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Liu,B
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Feng,SL
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Guo,XH
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Ga-Sb-Se material for low-power phase change memory
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 243111
Lu,YG
;
Song,SN
;
Gong,YF
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Song,ZT
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Rao,F
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Wu,LC
;
Liu,B
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Yao,DN
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS