机构

• 半导体研究所 [36]

采集方式

• OAI收割 [36]

内容类型

• 期刊论文 [34]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [36]

学科主题

• 半导体材料 [36]

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a Tunable External Cavity Quantum Cascade Laser 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 74203 Zhang JC; Wang LJ; Liu WF; Liu FQ; Yin W; Liu JQ; Li L; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/02/06 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201 作者:  Cao YL;  Yang T 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/07/05 WELL LASERS  DEPENDENCE  DIODE  GAIN   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：62/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏  |  浏览/下载：36/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  SEGREGATION  INTERFACE   Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463 Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 RAMAN-SCATTERING  SEMICONDUCTING NANOWIRES  OPTOELECTRONIC DEVICES  PHOSPHIDE NANOWIRES  OPTICAL PHONONS  SILICON  CRYSTALS  SPECTRA   VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328 Huang SL; Wu Y; Zhu XF; Li LX; Wang ZG; Wang LZ; Lu GQ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/07/05 SILICON NANOWIRES  SURFACE MIGRATION  NANOSTRUCTURES  CATALYST   Far-field improvement of quantum cascade lasers through high-reflection coatings 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 127 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2011/07/05 OPERATION  TEMPERATURE