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• 半导体研究所 [24]

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发表日期

• 2011 [3]
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学科主题

• 半导体物理 [24]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文  OAI收割 journal of colloid and interface science, JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, 2011, 2011, 卷号: 358, 358, 期号: 2, 页码: 334-337, 334-337 作者:  Meng XQ;  Liu CR;  Wu FM;  Li JB;  Li, JB, Zhejiang Normal Univ, Res Ctr Light Emitting Diodes LED, Jinhua 321004, Peoples R China. jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 Sol-gel  ZnO:Er-Yb nanoparticles  Up-conversion  Core/shell  Three-photon processes  NANOCRYSTALLINE YTTRIA  OPTICAL SPECTROSCOPY  GLASSES  LUMINESCENCE  TEMPERATURE  ER3+  YB3+  GREEN  FILMS  OXIDE  Sol-gel  Zno:Er-yb Nanoparticles  Up-conversion  Core/shell  Three-photon Processes  Nanocrystalline Yttria  Optical Spectroscopy  Glasses  Luminescence  Temperature  Er3++  Yb3++  Green  Films  Oxide   Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlO(x)/CoFeB magnetic tunnel junctions 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 26, 页码: 262501, 262501 作者:  Yu GQ;  Chen L;  Rizwan S;  Zhao JH;  Xu K   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 TEMPERATURE  GA1-XMNXAS  TRANSPORT  EPILAYERS  (GA  MN)AS  FILMS  Temperature  (Ga  Ga1-xmnxas  Mn)As  Transport  Epilayers  Films   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102 作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE  Molecular Beam Epitaxy  Anti-phase Domain  Gaas/ge Interface  Chemical Vapor-deposition  Junction Solar-cells  Domain-free Growth  Temperature  Quality  Future   Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者:  Xu YQ;  Tang B 收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  DETECTORS  GAAS(100)  FILMS  INAS  INSB   Excitonic bright-to-dark transition induced by spin-orbit coupling 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 012106 Wang, JW; Li, SS 收藏  |  浏览/下载：44/1  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELLS  EXCHANGE INTERACTION  GATE CONTROL  RELAXATION  ELECTRON  DYNAMICS  HETEROSTRUCTURES  FIELD  2D   Ordered InAs quantum dots with controllable periods grown on stripe-patterned GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 2689-2691 Ren, YY (Ren Yun-Yun); Xu, B (Xu Bo); Wang, ZG (Wang Zhan-Guo); Liu-Ming (Liu-Ming); Long, SB (Long Shi-Bing) 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/03/29 GE ISLANDS   The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Quantum measurement of single electron state by a quantum point contact 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3259-3264 Hu XN (Hu Xue-Ning); Li XQ (Li Xin-Qi) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum measurement  qubit  detailed balance  delocalization  DOT  DIFFUSION  DETECTOR   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM