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• 半导体研究所 [78]

采集方式

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• iSwitch采集 [9]

内容类型

• 期刊论文 [62]
• 会议论文 [16]

发表日期

• 2021 [1]
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学科主题

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• 半导体化学 [3]

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浏览/检索结果: 共78条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A facile and non-destructive quartz fiber shadow mask process for the sub-micrometer device fabrication on two-dimensional semiconductors 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2021, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 319-324 作者:  Li, Li-An;   Zhao, Fang-Yuan;   Zhai, Shen-Qiang;   Liu, Feng-Qi;   Wei, Zhong-Ming   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/05/19 Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：93/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Fabrication of a low-loss ssc using high-dose electron beam lithography exposure with negative pmma resist 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503 作者:  Liu, Yan;  Xu, Xuejun;  Xing, Bo;  Yu, Yude;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator (soi)  Spot-size converter (ssc)   Fabrication of a Low-Loss SSC Using High-Dose Electron Beam Lithography Exposure With Negative PMMA Resist 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503 Liu Y (Liu Yan); Xu XJ (Xu Xuejun); Xing B (Xing Bo); Yu YD (Yu Yude); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：92/1  |  提交时间：2010/04/22 Silicon-on-insulator (SOI)   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802 Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhang S (Zhang Shuang); Liu WB (Liu Wen-Bao); Hao XP (Hao Xiao-Peng); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Wei L (Wei Long) 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/05/24 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector  REVERSE-BIAS LEAKAGE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-N-JUNCTIONS  POSITRON-ANNIHILATION  DIODES  FILMS   High efficiency and broad bandwidth grating coupler between nanophotonic waveguide and fibre 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 014219 作者:  Han WH;  Li ZY 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/05 grating coupler  silicon-on-insulator  coupling efficiency  bandwidth  SILICON-ON-INSULATOR  OPTICAL-FIBERS  RESONATORS   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Fabrication and optical optimization of spot-size converters with strong cladding layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of optics a-pure and applied optics, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 4 作者:   收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator (soi)  Spot-size converters