机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [2]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [2]
• 2001 [2]
• 1999 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 stress  surface structure  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN  THICKNESS   Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：98/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  hydrogen contaminant  GSMBE  Raman spectrum  GROWTH  STRESS