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  • 半导体材料 [10]
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145
作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ
  |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05
Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104
Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/28
IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES 期刊论文  OAI收割
international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450
作者:  Hao GD
收藏  |  浏览/下载：49/5  |  提交时间：2011/07/05
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells 期刊论文  OAI收割
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1841-1846
Liao XB (Liao Xianbo); Du WH (Du Wenhui); Yang XS (Yang Xiesen); Povolny H (Povolny Henry); Xiang XB (Xiang Xianbi); Deng XM (Deng Xunming); Sun K (Sun Kai)
收藏  |  浏览/下载：179/0  |  提交时间：2010/04/11
GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文  OAI收割
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文  OAI收割
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:  Zhao DG;  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29
Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12
High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文  OAI收割
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文  OAI收割
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Duan SK; Teng XG; Wang YT; Li GH; Jiang HX; Han P; Lu DC
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/15
GaN  MgAl2O4  MOVPE  LED  DIODES