机构

• 半导体研究所 [54]

采集方式

• OAI收割 [44]
• iSwitch采集 [10]

内容类型

• 期刊论文 [47]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2011 [6]
• 2010 [3]
• 2009 [6]
• 2008 [3]
• 2007 [2]
• 2006 [7]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [26]
• 半导体物理 [11]
• 光电子学 [7]

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浏览/检索结果: 共54条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 作者:  Wang Baozhu;  Yan Cuiying;  Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan  Quantum dot  Mbe   Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate 期刊论文  OAI收割 materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862 Zheng J; Tao YL; Wang W; Zhang LZ; Zuo YH; Xue CL; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2011/07/05 Luminescence  Optical materials and properties  Sputtering  Thin films  PHOTOLUMINESCENCE  ER3+   Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure 期刊论文  OAI收割 materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 Multilayers  Inorganic compounds  Sputtering  Optical properties  DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES  ERBIUM SILICATE  ER3+  LUMINESCENCE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE   Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：41/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 012003-1-012003-5 作者:  Ye Xiaoling;  Xu Bo;  Jin Peng;  Peng Yinsheng;  Ye Xiaoling 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2011/08/16 Multimode resonances in metallically confined square-resonator microlasers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 5, 页码: art. no. 051104 Che KJ (Che Kai-Jun); Yang YD (Yang Yue-De); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：185/14  |  提交时间：2010/04/13 aluminium compounds  finite difference time-domain analysis  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  laser cavity resonators  photolithography  refractive index  sputter etching  DIRECTIONAL EMISSION  MICRODISK LASERS  MODES   Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties