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• 半导体研究所 [146]

采集方式

• OAI收割 [146]

内容类型

• 期刊论文 [127]
• 会议论文 [19]

发表日期

• 2015 [1]
• 2011 [5]
• 2010 [5]
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• 2007 [13]
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学科主题

• 半导体材料 [146]

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浏览/检索结果: 共146条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Sample Grating Distributed Feedback Quantum Cascade Laser Array 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2015, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 406 FL Yan; JC Zhang; CW Liu; N. Zhuo; FQ. Liu; SQ Zhai; ZG Wang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/03/29 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914 作者:  Jin P;  Ye XL;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2011/07/05 SPECTROSCOPY   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：80/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Magnetic properties of ZnO-doped cobalt ferrite 会议论文  OAI收割 4th asian meeting on electroceramics (amec-4), hangzhou, peoples r china, jun 27-30, 2005 Zhou, JP; Shi, Z; He, HC; Nan, CW 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/09 CoFe2O4   Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043702 Li GD (Li Guodong); Yin H (Yin Hong); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Sakaki H (Sakaki Hiroyuki); Jiang C (Jiang Chao) 收藏  |  浏览/下载：204/41  |  提交时间：2010/10/11 PHOTOLUMINESCENCE  HETEROJUNCTIONS  SPECTROSCOPY  SYSTEMS  PHYSICS   Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/12/12 DEPENDENCE  SPECTRA   Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Wang YS (Wang Y. S.); Zhang H (Zhang H.) 收藏  |  浏览/下载：190/22  |  提交时间：2010/09/07 Thermophotovoltaic  Gallium antimonide  Absorption coefficient