机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2000 [3]
• 1999 [3]
• 1997 [1]
• 1994 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：184/45  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50 Hayakawa Y; Okano Y; Hirata A; Imaishi N; Kumagiri Y; Zhong X; Xie X; Yuan B; Wu F; Liu H; Yamaguchi T; Kumagawa M 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 microgravity  Chinese recoverable satellite  GaSb  InxGa1-xSb  dissolution  recrystallization  orientation  FLOATING-ZONE GROWTH  INXGA1-XSB CRYSTALS  GASB  MELT  INSB  DIFFUSION  SILICON  CONVECTION  STRIATION   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文  OAI收割 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  GE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE  GE   Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  structure  TEM  X-ray  ISLANDS  GROWTH  GAAS  MULTILAYERS  SURFACES  X-RAY-DIFFRACTION   Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 1997, 卷号: 71, 期号: 2, 页码: 151-156 Chen W; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 thermoluminescence  cluster  cadmium sulfide  quantum-size effect  surface states  zeolite-Y  SEMICONDUCTOR COLLOIDS  QUANTUM CRYSTALLITES  PARTICLES  PHOTOLUMINESCENCE  PHOTOCHEMISTRY  LUMINESCENCE  ELECTRON  SPECTRA   INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 1994, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2437-2439 YU T; LAIHO R; HEIKKILA L 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  WAFERS