中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [53]
采集方式
OAI收割 [31]
iSwitch采集 [22]
内容类型
期刊论文 [49]
会议论文 [4]
发表日期
2020 [1]
2011 [7]
2010 [4]
2009 [2]
2008 [11]
2007 [5]
更多
学科主题
半导体材料 [17]
光电子学 [12]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共53条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 520, 页码: 146358
作者:
Yunyu Wang
;
Shenyuan Yang
;
Hongliang Chang
;
Weijiang Li
;
Xiufang Chend
;
Rui Hou
;
Jianchang Yan
;
Xiaoyan Yi
;
Junxi Wang
;
Tongbo Wei
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2021/06/28
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
High-reflectivity aln/gan distributed bragg reflectors grown on sapphire substrates by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wei Meng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Pan Xu
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan, Xu
;
Wei, Meng
;
Yang, Cuibai
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:61/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
收藏
  |  
浏览/下载:83/7
  |  
提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:80/5
  |  
提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111)
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Wang Hui
;
Liang Hu
;
Wang Yong
;
Ng Kar-Wei
;
Deng Dong-Mei
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:126/4
  |  
提交时间:2010/04/13
GaN
Si (111) substrate
metalorganic chemical vapour deposition
AlN buffer layer
AlGaN interlayer
: VAPOR-PHASE EPITAXY
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
ALXGA1-XN
FILM