中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [162]
采集方式
OAI收割 [162]
内容类型
期刊论文 [142]
会议论文 [20]
发表日期
2017 [1]
2013 [1]
2012 [2]
2011 [10]
2010 [3]
2009 [2]
更多
学科主题
半导体材料 [162]
筛选
浏览/检索结果:
共162条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2018/05/23
Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4
J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2014/02/12
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding JQ (Ding, Jieqin)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Bi Y (Bi, Yang)
;
Deng QW (Deng, Qinwen)
;
Zhang JW (Zhang, Jingwen)
;
Hou X (Hou, Xun)
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2013/03/26
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding, Jieqin
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Chen, Hong
;
Bi, Yang
;
Deng, Qinwen
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/04/19
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:118/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
  |  
浏览/下载:63/2
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
收藏
  |  
浏览/下载:36/4
  |  
提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328
Huang SL
;
Wu Y
;
Zhu XF
;
Li LX
;
Wang ZG
;
Wang LZ
;
Lu GQ
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2011/07/05
SILICON NANOWIRES
SURFACE MIGRATION
NANOSTRUCTURES
CATALYST
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
OAI收割
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:63/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104
作者:
Yu JL
收藏
  |  
浏览/下载:44/2
  |  
提交时间:2011/07/05