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浏览/检索结果: 共237条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260 Bi, DW; Zhang, ZX; Chen, M; Wu, AM; Wei, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17 SOI  Ion implantation  Si nanocrystal  Pseudo-MOS   Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270 Chen, M; Zhang, ZX; Wei, X; Bi, DW; Zou, SC; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/04/17 Silicon dioxide  Ion implantation  Total ionizing dose  Carrier transportation   Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131 Chen, J; Luo, JX; Wu, QQ; Chai, Z; Huang, XL; Wei, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/17 Partially depleted SOI  Floating-body effect  The kink effect  Esaki tunnel  Junction  Body contact   TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/17 Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131 Chen, J; Luo, JX; Wu, QQ; Chai, Z; Huang, XL; Wei, X; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Instruments & Instrumentation  Physics  Physics  Nuclear Science & Technology  Atomic  Nuclear  Molecular & Chemical   Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2011 王茹 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/04/24 SOI  微剂量实验方法  微剂量仪  离子注入改性  灵敏体积   Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge 0.2 contacts by C pre-implantation 期刊论文  OAI收割 Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: H261-H263 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Buca, D; Hollnder, B; Hartmann, J.M.; Zhang, M; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/08/28 Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2011, 卷号: 56, 期号: 4-5, 页码: 444-448 Wei,X; Xue,ZY; Wu,AM; Wang,X; Li,XY; Ye,F; Chen,J; Chen,M; Zhang,B; Lin,CL; Zhang,MA; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/10 SCIENCE CHINA PRESS   Thermal stability and interface improvement of thin NiSiGe by C+ ion implantation 期刊论文  OAI收割 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011.2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011, 2011, 期号: 0 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Buca, D; Hollä; nder, B; Hartmann, J.-M.; Zhang, M; Wang, X; Mantl, S. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/08/28 Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: H261-H263 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/10 ELECTROCHEMICAL SOC INC