机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2010 [1]
• 2005 [2]
• 2004 [2]
• 2003 [2]
• 2000 [2]
• 1998 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Experimental observation of polarized electroluminescence from edge-emission organic light emitting devices 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: article no.233304 Ran GZ; Jiang DF; Kan Q; Chen HD 收藏  |  浏览/下载：45/3  |  提交时间：2011/07/05 DIODES  PHOTONICS  PLASMONICS  EFFICIENCY   Investigation of mn-implanted n-si by low-energy ion beam deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463 作者:  Liu, LF;  Chen, NF;  Song, SL;  Yin, ZG;  Yang, F 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  Low-energy ion beam deposition  Semiconducting silicon   Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 auger electron spectroscopy   Investigation of mn-implanted n-type ge 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470 作者:  Liu, LF;  Chen, NF;  Yin, ZG;  Yang, F;  Zhou, JP 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  Ion implantation  Semiconducting germanium   Investigation of Mn-implanted n-type Ge 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：104/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   Mnsb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 作者:  Xiu, HX;  Chen, NF;  Peng, CT 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Physical vapor deposition processes  Manganese antimonide  Porous silicon   MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 Xiu HX; Chen NF; Peng CT 收藏  |  浏览/下载：335/6  |  提交时间：2010/08/12 physical vapor deposition processes  manganese antimonide  porous silicon  POROUS-SILICON  FILMS  MNSB  EPITAXY   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708 Zhuang QD; Li JM; Li HX; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  INFRARED-ABSORPTION  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  WELL  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  LASERS  INP