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• 半导体研究所 [21]

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• OAI收割 [21]

内容类型

• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [21]

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：161/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327 She-Song, H; Zhi-Chuan, N; Feng, Z; Hai-Qiao, N; Huan, Z; Dong-Hai, W; Zheng, S 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  quantum dots  a modified two-step growth   MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:   收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 surface   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; He, ZH; Sun, Z; Han, Q; Wu, RG 收藏  |  浏览/下载：223/60  |  提交时间：2010/03/29 IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  NITROGEN  ORIGIN  DIODES   The compact microcrystalline Si thin film with structure uniformity in the growth direction by hydrogen dilution profile 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 9, 页码: art.no.093505 Gu J; Zhu MF; Wang LJ; Liu FZ; Zhou BQ; Zhou YQ; Ding K; Li GH 收藏  |  浏览/下载：82/18  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Silicon doping induced increment of quantum dot density 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  silicon  doping  density  InGaAs/GaAs  SAOD  INGAAS  ISLANDS  GAAS   Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-POWER  LASER-DIODES  NM   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 Dong HW; Zhao YW; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：63/15  |  提交时间：2010/08/12 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  UNDOPED INP  SPECTROSCOPY  WAFER  UNIFORMITY  PRESSURE  TRAPS