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• 半导体研究所 [22]

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• OAI收割 [22]

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• 期刊论文 [20]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [9]
• 半导体物理 [8]
• 光电子学 [5]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845 Feng W (Feng W.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhou F (Zhou F.); Yang H (Yang H.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  QUANTUM-WELL STRUCTURES  BANDGAP ENERGY CONTROL  LAYERS  INGAASP   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS   Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM   Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE 会议论文  OAI收割 12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006 Feng, W (Feng, W.); Pan, JQ (Pan, J. Q.); Zhou, F (Zhou, F.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Wang, W (Wang, W.) 收藏  |  浏览/下载：93/15  |  提交时间：2010/03/29 BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  VAPOR-PHASE EPITAXY  PRESSURE MOVPE  CONVERTER   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-POWER  LASER-DIODES  NM