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• 半导体研究所 [23]

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• 光电子学 [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 materials technology, 2016 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831 J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; L. Q. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/10 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709 J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; J. J. Zhu; Z. S. Liu; L. C. Le; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/23 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935 W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/23 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508 作者:  M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/09 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110 作者:  Le LC (Le, L. C.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/20