机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2021 [1]
• 2008 [5]
• 2007 [2]
• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ge0.95Sn0.05 Gate-All-Around p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Sub-3 nm Nanowire Width 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21, 期号: 13, 页码: 5555-5563 作者:  Kang, Yuye;   Xu, Shengqiang;   Han, Kaizhen;   Kong, Eugene Y-J;   Song, Zhigang;   Luo, Sheng;   Kumar, Annie;   Wang, Chengkuan;   Fan, Weijun;   Liang, Gengchiau;   Gong, Xiao   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/05/19 Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon   The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 作者:  Guo, Lunchun;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Mao, Hongling;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hemt  2deg  Mobility  Polarization   A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1654-1656 作者:  Zhang Yang;  Zhang Renping 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：151/11  |  提交时间：2010/11/23 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274 Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23