中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [10]
采集方式
iSwitch采集 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2005 [4]
2004 [4]
2003 [1]
2002 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Preparation and properties of gan micro-ribbons on ga-diffused si (111) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 1162-1165
作者:
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Wei, QQ
;
Cao, WT
;
Zhuang, HZ
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ga2o3 films
Gan micro-ribbons
Radio frequency (r.f.) magnetron sputtering
Characteristics of gan film prepared by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 746-749
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Zhuang, HZ
;
Wang, SY
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Ga2o3/al2o3 film
Ammoniating
Magnetron sputtering
Formation of gan film by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 312-315
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Cao, WT
;
Zhuang, HH
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Ga2o3/al2o3 film
Ammoniating
Magnetron sputtering
Photoluminescence study of gan film grown by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 166-168
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Cao, WT
;
Zhuang, HZ
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan films
Photoluminescence
Band-edge emission
Radiant combination
Formation of gallium nitride crystal loops on silicon (111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2004, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 1161-1164
作者:
Wang, XM
;
Sun, ZC
;
Wei, QQ
;
Wang, Q
;
Cao, WT
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Hot-wall chemical vapor deposition
Gan
Five half-loops
The investigation of gan films grown on si substrates by hot-wall chemical vapor deposition
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2004, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 1226-1228
作者:
Cao, WT
;
Sun, ZC
;
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, HB
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Hot-wall chemical vapor deposition
Gan
With h-2 as carrier gas
Fabrication of gan nanowires by ammoniating ga2o3/al2o3 thin films deposited on si(111) with radio frequency magnetron sputtering
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2004, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 724-726
作者:
Xue, CS
;
Wei, QQ
;
Sun, ZC
;
Dong, ZH
;
Sun, HB
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Fabrication of large-scale alpha-si3n4 nanotubes on si(111) by hot-wall chernical-vapor-deposition with the assistance of ga2o3
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2004, 卷号: 229, 期号: 1-4, 页码: 9-12
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Zhuang, HZ
;
Cao, WT
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Hot-wall cvd
Alpha-si3n4
Nanotubes
Nano-material
Formation of high quality gallium nitride thin films on ga-diffused si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2003, 卷号: 210, 期号: 3-4, 页码: 153-157
作者:
Xue, CS
;
Yang, L
;
Wang, CM
;
Zhuang, HZ
;
Wei, QQ
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ga2o3
Gan
R.f. magnetron sputtering
Ammoniating
Formation of gan film by ammoniating ga2o3 deposited on si substrate with electrophoresis
期刊论文
iSwitch采集
International journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4267-4270
作者:
Yang, L
;
Xue, CS
;
Zhuang, HZ
;
Li, HX
;
Wei, QQ
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12