中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2011 [4]
2010 [1]
1998 [1]
学科主题
光电子学 [8]
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Effects of Fe doping on the strain and optical properties of GaN epilayers grown on sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 98, 页码: 55430-55434, 55430-55434
作者:
Zheng, CC
;
Ning, JQ
;
Wu, ZP
;
Wang, JF
;
Zhao, DG
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration?
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102
Zheng CC (Zheng, C. C.)
;
Xu SJ (Xu, S. J.)
;
Zhang F (Zhang, F.)
;
Ning JQ (Ning, J. Q.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Che CM (Che, C. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/03/27
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:97/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
收藏
  |  
浏览/下载:93/5
  |  
提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Localized surface optical phonon mode in the InGaN/GaN multiple-quantum-wells nanopillars: Raman spectrum and imaging
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113115
Zhu JH
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Xu SJ
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:69/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
LASER-DIODES
GAN
NANOWIRES
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F
;
Xu SJ
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Che CM
收藏
  |  
浏览/下载:45/3
  |  
提交时间:2011/07/05
TRANSITIONS
ABSORPTION
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
OAI收割
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 349-354
作者:
Liu J
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY