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• 半导体研究所 [29]

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内容类型

• 期刊论文 [26]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [2]
• 2011 [5]
• 2010 [2]
• 2006 [1]
• 2003 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [10]
• 光电子学 [8]
• 半导体材料 [5]

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Fe doping on the strain and optical properties of GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 98, 页码: 55430-55434, 55430-55434 作者:  Zheng, CC;  Ning, JQ;  Wu, ZP;  Wang, JF;  Zhao, DG   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/03/20 Residual strains and optical properties of ZnO thin epilayers grown on r-sapphire planes 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 35008 Zheng, CC; Xu, SJ; Ning, JQ; Bao, W; Wang, JF; Gao, J; Liu, JM; Zhu, JH; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/17 Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration? 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102 Zheng CC (Zheng, C. C.); Xu SJ (Xu, S. J.); Zhang F (Zhang, F.); Ning JQ (Ning, J. Q.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Yang H (Yang, H.); Che CM (Che, C. M.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Localized surface optical phonon mode in the InGaN/GaN multiple-quantum-wells nanopillars: Raman spectrum and imaging 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113115 Zhu JH; Ning JQ; Zheng CC; Xu SJ; Zhang SM; Yang H 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  LASER-DIODES  GAN  NANOWIRES   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 110, 110, 期号: 5, 页码: 54320, 54320 作者:  Ning JQ;  Xu SJ;  Ruan XZ;  Ji Y;  Zheng HZ   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH  Wells  Relaxation  Hole  Photoluminescence  Semiconductors  Localization  Transitions  Excitons  Carriers  Growth   Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103 Zhang F; Xu SJ; Ning JQ; Zheng CC; Zhao DG; Yang H; Che CM 收藏  |  浏览/下载：45/3  |  提交时间：2011/07/05 TRANSITIONS  ABSORPTION   Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2010, 2010, 卷号: 374, 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796, 4793-4796 作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/05 Optical Kerr effect  Optical Kerr Effect  Electron Spin  Quantum Disks  Inas/gaas  Refractive-index  Coherence  Gaas  Semiconductors  Electron spin  Quantum disks  InAs/GaAs  REFRACTIVE-INDEX  COHERENCE  GAAS  SEMICONDUCTORS