机构

• 半导体研究所 [448]

采集方式

• OAI收割 [376]
• iSwitch采集 [72]

内容类型

• 期刊论文 [399]
• 会议论文 [48]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2011 [41]
• 2010 [24]
• 2009 [21]
• 2008 [27]
• 2007 [14]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [174]
• 半导体物理 [130]
• 光电子学 [57]
• 半导体化学 [6]
• 半导体器件 [6]
• 人工智能 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共448条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 4H-SiC快速外延生长研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 刘斌 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2015/06/02 4H-SiC  碳化硅  快速外延生长  Fast Epitaxial Growth   Controllable growth of highly ordered zno nanorod arrays via inverted self-assembled monolayer template 期刊论文  iSwitch采集 Acs applied materials & interfaces, 2011, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 4388-4395 作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Zhang, S. G.;  Wang, J. X. 收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide nanorods  Hydrothermal synthesis  Inverted self-assembled monolayer  Reactive ion etching  Epitaxial growth   Growth of sno2 nanoparticles via thermal evaporation method 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2011, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 511-516 作者:  Li, Yuguo;  Peng, Ruiqin;  Xiu, Xianwu;  Zheng, Xuelei;  Zhang, Xiaosen 收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxides  Crystal growth  Growth mechanism  Luminescence   Fabrication and characterization of novel zno tetrapods induced by polar surfaces 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 1659-1662 作者:  Li, Junlin;  Zhuang, Huizhao;  Wang, Jie;  Xu, Peng 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide  Crystal growth  Tetrapods  Polar surfaces  Chemical vapor deposition   Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Su Shao-Jian;  Wang Wei;  Zhang Guang-Ze;  Hu Wei-Xuan;  Bai An-Qi 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn  Ge  Molecular beam epitaxy  Epitaxial growth   Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/02/06 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GROWTH  SEMICONDUCTORS  NANOSTRUCTURES  COMPUTATION  INGAAS   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Synthesis, morphology and growth mechanism of brush-like zno nanostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 2097-2101 作者:  Wang, Jie;  Zhuang, Huizhao;  Li, Junlin;  Xu, Peng 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide  Growth model  Characterization  Single crystal growth  Nanomaterials   Epitaxy of Ge on offcut Si substrate for growth of In0.01Ga0.99As 期刊论文  OAI收割 ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 页码: 314-316 Hu, Weixuan; Cheng, Buwen; Xue, Chunlai; Su, Shaojian; Liu, Zhi; Li, Yaming; Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/06/13 Epitaxial growth  Germanium  Indium  Photonics  Semiconducting silicon compounds  Silicon   Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique 期刊论文  OAI收割 guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/06/13 Atomic force microscopy  Atomic spectroscopy  Chemical vapor deposition  Diffraction  Epitaxial growth  Germanium  Raman spectroscopy  Semiconducting silicon compounds  Substrates  Surface morphology  Ultrahigh vacuum  X ray diffraction