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Atomistic Insights on Surface Quality Control via Annealing Process in AlGaN Thin Film Growth
期刊论文
OAI收割
NANOMATERIALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1382
作者:
Peng Q(彭庆)
;
Ma ZW(马知未)
;
Cai, Shixian
;
Zhao S(赵帅)
;
Chen, Xiaojia
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提交时间:2023/06/15
AlGaN thin film
molecular dynamics simulations
laser annealing
atomistic structure
Annihilation and Regeneration of Defects in (11(2)over-bar2) Semipolar AlN via High-Temperature Annealing and MOVPE Regrowth
期刊论文
OAI收割
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2021, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2911-2919
作者:
Chen, Li
;
Lin, Wei
;
Chen, Hangyang
;
Xu, Houqiang
;
Guo, Chenyu
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2021/12/01
SAPPHIRE
GROWTH
SUPERLATTICES
QUALITY
ALGAN
AIN
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes
期刊论文
OAI收割
MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6
作者:
Sheikhi, Moheb
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Liang
;
Liu, Jianzhe
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提交时间:2020/12/16
NITRIDE
PERFORMANCE
ALGAN/GAN
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
OAI收割
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
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提交时间:2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
286 nm monolithic multicomponent system
期刊论文
OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 5
作者:
J.L.Yuan
;
Y.Jiang
;
Z.Shi
;
X.M.Gao
;
Y.J.Wang
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,integration,photodetectors,photonics,algan,leds,Physics
基于溅射AlN模板的深紫外LED制备技术的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
赵璐
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提交时间:2018/05/24
溅射aln+algan基深紫外led+大规模生产+低成本
AlGaN基深紫外LED发光特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:
陈刚
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提交时间:2019/03/28
AlGaN,深紫外发光二极管,多量子阱,电子泄漏,电流分布
Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45
作者:
Guo, Wei
;
Xie, Weiping
;
Chee, Kuan W. A.
;
Zeng, Yuheng
;
Ye, Jichun
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提交时间:2018/12/04
Surface-plasmons
Quantum-wells
Nanoparticles
Emission
Algan
Suppression
Efficiency
Ingan/gan
Emitters
Ag