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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [6]
学科主题
半导体材料 [6]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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限定条件
发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
OAI收割
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Characteristics of charge density waves on the surfaces of quasi-one-dimensional charge-transfer complex layered organic crystals
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.125434
Lin F
;
Huang XM
;
Qu SC
;
Fang ZY
;
Huang S
;
Song WT
;
Zhu X
;
Liu ZF
收藏
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提交时间:2011/07/05
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
MOLECULAR CONDUCTORS
PHASE-TRANSITION
TETRACYANOQUINODIMETHANE
(EDO-TTF)(2)PF6
DERIVATIVES
TTF
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.28402
作者:
Hou QF
;
Yin HB
收藏
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提交时间:2011/07/05
InGaN
solar cell
multiple quantum wells
IN1-XGAXN ALLOYS
BAND-GAP
INN