机构

• 半导体研究所 [28]
• 物理研究所 [7]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [5]
• 宁波材料技术与工程研... [4]
• 长春光学精密机械与物... [2]
• 高能物理研究所 [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [45]
• iSwitch采集 [10]

内容类型

• 期刊论文 [51]
• 学位论文 [2]
• 专利 [1]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2019 [1]
• 2018 [6]
• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [9]
• 光电子学 [4]
• 半导体物理 [4]
• Chemistry [2]
• Chemistry;... [1]
• Physics [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共55条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Carrier localization and defect-insensitive optical behaviors of ultraviolet multiple quantum wells grown on patterned AlN nucleation layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 861 作者:  Chen, Li;  Dai, Yijun;  Li, Liang;  Jiang, Jiean;  Xu, Houqiang   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/12/01 Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27 作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Sheikhi, Moheb;  Chen, Zhaoying;  Hoo, Jason   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 SURFACE-MORPHOLOGY  GAN FILMS  KINETICS  QUALITY  TERNARY  INGAN  BLUE   Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018 作者:  Zhu, J. J.;  Liang, F.;  Liu, W.;  Zhang, L. Q.(张立群);  Liu, S. T.   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/03/27 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40 作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/11/19 Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792 作者:  Liu, Ningyang;  Wang, Lei;  Song LG(宋力刚);  Cao XZ(曹兴忠);  Wang BY(王宝义)   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/10/11 Atom displacement  carrier removal effect  carrier ultrafast dynamics  GaN  indium localization  light-emitting diodes (LEDs)  nonradiative recombination centers (NRCs)  positron annihilation spectroscopy (PAS)  silicon ion irradiation  strain relaxation   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xie, Weiping;  Chee, Kuan W. A.;  Zeng, Yuheng;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Ye, Jichun;  Zeng, Yuheng   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文  OAI收割 Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6 作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17 x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics   Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 91, 页码: 259-268 Fan Yang; Yuan-tao Zhang; Xu Han; Peng-chong Li; Jun-yan Jiang; Zhen Huang; Jing-zhi Yin; De-gang Zhao; Bao-lin Zhang; Guo-tong Du 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10 Structural damage in InGaN induced by MeV heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 356, 期号: 356, 页码: 53-56 作者:  Zhang, L. M.;  Zhang, C. H.;  Wang, T. S.;  Zhao, J. T.;  Hu, P.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/10/15 InGaN  Ion irradiation  Structural damage