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The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12
作者:
Yang, H (杨辉)
;
Zhang, BS (张宝顺)
;
Zhang, SM (张书明)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/07/25
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapour deposition
nitrides
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
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浏览/下载:63/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 127306
Le LC (Le Ling-Cong)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wu LL (Wu Liang-Liang)
;
Deng Y (Deng Yi)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/22
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
收藏
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy