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• 西安光学精密机械研... [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化物系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009099959A, 申请日期: 2009-05-07, 公开日期: 2009-05-07 作者:  亀山 真吾;  野村 康彦;  廣山 良治;  畑 雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4093943B2, 申请日期: 2008-03-14, 公开日期: 2008-06-04 作者:  畑 雅幸;  廣山 良治;  國里 竜也;  蔵本 慶一;  平野 均   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法 专利  OAI收割 专利号: JP3490923B2, 申请日期: 2003-11-07, 公开日期: 2004-01-26 作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  ▲廣▼山 良治   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3373975B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04 作者:  畑 雅幸;  廣山 良治;  庄野 昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14 作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  廣山 良治   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ—ザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999330636A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  庄野 昌幸;  廣山 良治;  吉年 慶一   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2919606B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12 作者:  廣山 良治;  浜田 弘喜   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998012967A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  上谷 ▲高▼弘;  ▲廣▼山 良治   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1995312465A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28 作者:  庄野 昌幸;  廣山 良治;  吉年 慶一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995297483A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10 作者:  池上 隆俊;  本多 正治;  庄野 昌幸;  廣山 良治;  茨木 晃   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13