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二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
作者:  大谷茂树;  木下博之;  松波弘之;  须田淳;  天野浩
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
氮化物半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06
作者:  木户口勋;  石桥明彦;  粂雅博;  伴雄三郎;  上山智
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
作者:  木戸口 勲
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
作者:  上山 智;  大仲 清司;  上野山 雄;  鈴木 政勝
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
半導體雷射元件 专利  OAI收割
专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
作者:  上山智;  木戶口勳;  伴雄三郎;  長谷川義晃;  宮永良子
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レ—ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000077795A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
作者:  粂 雅博;  伴 雄三郎;  服藤 憲司;  木戸口 勲;  上山 智
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000068599A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:  粂 雅博;  伴 雄三郎;  木戸口 勲;  上山 智;  辻村 歩
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000068610A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:  足立 秀人;  木戸口 勲;  上山 智;  上野山 雄;  萬濃 正也
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000058965A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  上山 智;  辻村 歩
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18