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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 2010 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010034246A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12 作者:  中原 宏治;  土屋 朋信;  寺野 昭久;  柳澤 浩徳   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009302365A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24 作者:  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 光半导体元件 专利  OAI收割 专利号: CN100530867C, 申请日期: 2009-08-19, 公开日期: 2009-08-19 作者:  中原宏治;  工藤真;  田中滋久;  白井正敬   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP4003250B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-07 作者:  青木 雅博;  中原 宏治;  魚見 和久;  土屋 朋信;  佐藤 宏   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザモジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2001094200A, 申请日期: 2001-04-06, 公开日期: 2001-04-06 作者:  中原 宏治;  魚見 和久   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム 专利  OAI收割 专利号: JP1999150322A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  中原 宏治;  豊中 隆司;  芳賀 徹;  谷渡 剛;  魚見 和久   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利  OAI收割 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール 专利  OAI收割 专利号: JP1997232666A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05 作者:  魚見 和久;  中原 宏治;  土屋 朋信   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31