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高输出红色半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN101283493A, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2008-10-08
作者:  中原健;  石川努
  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/18
氧化锌类化合物半导体元件 专利  OAI收割
专利号: CN101268563A, 申请日期: 2008-09-17, 公开日期: 2008-09-17
作者:  中原健;  汤地洋行
  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物半导体元件及其制法 专利  OAI收割
专利号: CN101171694A, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2008-04-30
作者:  中原健
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
レーザビームプリンタ用光源装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000299526A, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24
作者:  市原 淳;  北嶋 久義;  田辺 哲弘;  中原 健;  田中 治夫
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製法 专利  OAI收割
专利号: JP2000183456A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
作者:  田辺 哲弘;  中原 健
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製法 专利  OAI收割
专利号: JP2000183463A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
作者:  田辺 哲弘;  中原 健
  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000068582A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:  中原 健
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利  OAI收割
专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利  OAI收割
专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治
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