机构

• 西安光学精密机械研... [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [10]

发表日期

• 2003 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1995 [1]
• 1994 [6]

学科主题

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3421999B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30 作者:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充;  鈴木 安弘   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 埋め込み構造半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3038424B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-08 作者:  近藤 康洋;  中尾 正史;  岡安 雅信   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 光素子作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026881A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  中尾 正史   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995162091A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23 作者:  近藤 康洋;  山本 ▲ミツ▼夫;  中尾 正史   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 分布反射型レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994283804A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  岡安 雅信;  中尾 正史;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体短光パルス発生装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994283820A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  鈴木 安弘;  中尾 正史;  近藤 康洋;  永沼 充   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1994283803A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994283802A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  中尾 正史;  岡安 雅信;  湯田 正宏;  永沼 充   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994132609A, 申请日期: 1994-05-13, 公开日期: 1994-05-13 作者:  中尾 正史   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994029619A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04 作者:  伊賀 龍三;  山田 武;  中尾 正史;  杉浦 英雄   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13