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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998341058A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22
作者:  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  堀川 英明;  後藤 修;  中村 幸治
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998223970A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:  中島 徹人;  八重樫 浩樹;  中村 幸治;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997181387A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  後藤 修;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997129966A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明;  八重樫 浩樹
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザの端面パッシベーション方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997129976A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:  堀川 英明;  中島 徹人;  八重樫 浩樹;  中村 幸治
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997129967A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:  中島 徹人;  中村 幸治;  堀川 英明;  八重樫 浩樹
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18
AlGaAsの表面処理方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997083080A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28
作者:  後藤 修;  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997036476A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:  中村 幸治;  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997036484A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:  山内 義則;  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
分布帰還型レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996321661A, 申请日期: 1996-12-03, 公开日期: 1996-12-03
作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人;  後藤 修
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18