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机构
西安光学精密机械研... [13]
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OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2016 [1]
2006 [2]
2004 [1]
2003 [2]
2002 [2]
2000 [1]
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車両用灯具
专利
OAI收割
专利号: JP6062249B2, 申请日期: 2016-12-22, 公开日期: 2017-01-18
作者:
安達 啓
;
福井 雅千
;
中村 浩之
;
小野 長平
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提交时间:2020/01/13
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
作者:
中村修二
;
山田孝夫
;
妹尾雅之
;
山田元量
;
板东完治
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提交时间:2020/01/18
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
专利
OAI收割
专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
作者:
中村修二
;
山田孝夫
;
妹尾雅之
;
山田元量
;
板东完治
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提交时间:2019/12/26
窒化物半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
作者:
妹尾 雅之
;
山田 孝夫
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/13
部材の接合方法、その方法で得られた接合部材
专利
OAI收割
专利号: JP2003200289A, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15
作者:
坂田 正人
;
中村 雅之
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提交时间:2019/12/31
窒化物半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28
作者:
妹尾 雅之
;
山田 孝夫
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/18
窒化物半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP3374737B2, 申请日期: 2002-11-29, 公开日期: 2003-02-10
作者:
長濱 慎一
;
妹尾 雅之
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/18
窒化物半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3272588B2, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-04-08
作者:
妹尾 雅之
;
長濱 慎一
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/13
窒化物半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP3087831B2, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-09-11
作者:
妹尾 雅之
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/18
n型窒化物半導体の電極
专利
OAI收割
专利号: JP1997069623A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:
妹尾 雅之
;
中村 修二
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提交时间:2019/12/30