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• 西安光学精密机械研... [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導體雷射裝置 专利  OAI收割 专利号: TW201110490A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 作者:  高瀨禎;  多田仁史;  前原宏昭;  久義浩;  佐久間仁   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009059792A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19 作者:  立岡 靖晃;  久 義浩;  森 健三   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007227724A, 申请日期: 2007-09-06, 公开日期: 2007-09-06 作者:  久 義浩;  高瀬 禎   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 光コネクタ 专利  OAI收割 专利号: JP2006208555A, JP2006208555A, 申请日期: 2006-08-10, 2006-08-10, 公开日期: 2006-08-10, 2006-08-10 作者:  小磯 友和;  吉村 宏一郎;  矢ノ口 恒義;  浜野 利久;  岩森 俊道   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/30 半導體光學裝置 专利  OAI收割 专利号: TWI222252B, 申请日期: 2004-10-11, 公开日期: 2004-10-11 作者:  羽田英樹;  境野剛;  久義浩   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法及びその構造 专利  OAI收割 专利号: JP2000068605A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03 作者:  久 義浩   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999354883A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24 作者:  久 義浩   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 光結合デバイス 专利  OAI收割 专利号: JP1997181395A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11 作者:  三冨 修;  界 義久;  近藤 康洋;  須崎 泰正;  東盛 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996293642A, 申请日期: 1996-11-05, 公开日期: 1996-11-05 作者:  久 義浩   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996255947A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01 作者:  久 義浩   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30