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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器元件和半导体激光器器件 专利  OAI收割 专利号: CN101882755B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06 作者:  今西大介   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器设备 专利  OAI收割 专利号: CN101789560A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28 作者:  若林和弥;  今西大介   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009289814A, 申请日期: 2009-12-10, 公开日期: 2009-12-10 作者:  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009283778A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03 作者:  若林 和弥;  長沼 香;  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 レーザモジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2009111230A, 申请日期: 2009-05-21, 公开日期: 2009-05-21 作者:  若林 和弥;  今西 大介;  古川 昭夫;  伊藤 哲   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008283064A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20 作者:  若林 和弥;  長沼 香;  今西 大介;  滝口 幹夫   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子およびこれを用いたレーザプロジェクタ 专利  OAI收割 专利号: JP2008192799A, 申请日期: 2008-08-21, 公开日期: 2008-08-21 作者:  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006339511A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14 作者:  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2006196660A, 申请日期: 2006-07-27, 公开日期: 2006-07-27 作者:  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびこれを用いた光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006049420A, 申请日期: 2006-02-16, 公开日期: 2006-02-16 作者:  今西 大介   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18