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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06 作者:  木户口勋;  石桥明彦;  粂雅博;  伴雄三郎;  上山智   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3454181B2, 申请日期: 2003-07-25, 公开日期: 2003-10-06 作者:  木戸口 勲;  大塚 信之;  伴 雄三郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09 作者:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  宮永 良子;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07 作者:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 結晶成長方法および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3269344B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者:  石橋 明彦;  伴 雄三郎;  武石 英見   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001223428A, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-08-17 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001007443A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12 作者:  長谷川 義晃;  辻村 歩;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/13 半導體雷射元件 专利  OAI收割 专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01 作者:  上山智;  木戶口勳;  伴雄三郎;  長谷川義晃;  宮永良子   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30 作者:  木戸口 勲;  宮永 良子;  菅原 岳;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13