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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 照明装置及びその駆動方法 专利  OAI收割 专利号: JP2019021586A, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07 作者:  ▲高▼曽根 徹;  佐野 雅彦;  松山 裕司;  村山 隆史;  井上 祐之   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP6265227B2, 申请日期: 2018-01-05, 公开日期: 2018-01-24 作者:  若松 大;  市川 将嗣;  佐野 雅彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/23 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100405619C, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23 作者:  佐野雅彦;  野中满宏;  镰田和美;  山本正司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体レーザー素子 专利  OAI收割 专利号: JP3604278B2, 申请日期: 2004-10-08, 公开日期: 2004-12-22 作者:  佐野 雅彦;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN1404641A, 申请日期: 2003-03-19, 公开日期: 2003-03-19 作者:  佐野雅彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3375042B2, 申请日期: 2002-11-29, 公开日期: 2003-02-10 作者:  佐野 雅彦   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3339049B2, 申请日期: 2002-08-16, 公开日期: 2002-10-28 作者:  佐野 雅彦;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3314641B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12 作者:  佐野 雅彦;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1999330610A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  佐野 雅彦;  長浜 慎一;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999312841A, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09 作者:  佐野 雅彦;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13