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机构
西安光学精密机械研... [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
专利 [12]
发表日期
1998 [2]
1997 [8]
1996 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
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半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1998341058A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22
作者:
八重樫 浩樹
;
中島 徹人
;
堀川 英明
;
後藤 修
;
中村 幸治
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1998223970A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:
中島 徹人
;
八重樫 浩樹
;
中村 幸治
;
堀川 英明
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997181387A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:
八重樫 浩樹
;
中島 徹人
;
後藤 修
;
堀川 英明
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997129966A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:
中村 幸治
;
中島 徹人
;
堀川 英明
;
八重樫 浩樹
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザの端面パッシベーション方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997129976A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:
堀川 英明
;
中島 徹人
;
八重樫 浩樹
;
中村 幸治
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997129967A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:
中島 徹人
;
中村 幸治
;
堀川 英明
;
八重樫 浩樹
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/01/18
半導体デバイス及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997045999A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14
作者:
堀川 英明
;
山内 義則
;
後藤 修
;
八重樫 浩樹
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997036476A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:
中村 幸治
;
八重樫 浩樹
;
中島 徹人
;
堀川 英明
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提交时间:2020/01/13
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997027656A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28
作者:
山内 義則
;
堀川 英明
;
後藤 修
;
八重樫 浩樹
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997027651A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28
作者:
八重樫 浩樹
;
堀川 英明
;
後藤 修
;
山内 義則
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提交时间:2020/01/18