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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 专利 [11]

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• 2012 [1]
• 2007 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102714393A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03 作者:  丹下贵志;  冨谷茂隆   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体光发射装置以及一种装置 专利  OAI收割 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1203598C, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2005-05-25 作者:  冨谷茂隆;  日野智公   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21 作者:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997121073A, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06 作者:  冨谷 茂隆;  小沢 正文;  伊藤 哲;  池田 昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体エピタキシャル成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996115877A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07 作者:  冨谷 茂隆;  中野 一志;  伊藤 哲;  湊屋 理佳子   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1995273397A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20 作者:  中野 一志;  冨谷 茂隆   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子とその製法 专利  OAI收割 专利号: JP1995170021A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04 作者:  塚本 弘範;  冨谷 茂隆   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体装置とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993335258A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17 作者:  森田 悦男;  冨谷 茂隆;  山本 直;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18