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一种平面型IGBT结构的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者:  卢烁今;  赵佳;  朱阳军;  陆江;  田晓丽
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一种获得IGBT器件热阻的系统和方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210525856.1, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2014-06-18
作者:  卢烁今;  董少华;  朱阳军;  胡爱斌
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一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者:  赵佳;  朱阳军;  胡爱斌;  卢烁今
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一种功率器件的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310086257.9, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者:  吴振兴;  朱阳军;  田晓丽;  卢烁今
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一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310085624.3, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2014-06-04
作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  吴振兴;  田晓丽
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一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310086262.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-04
作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  田晓丽
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PIN超结结构 专利  OAI收割
专利号: CN201310085640.2, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-04
作者:  卢烁今;  张文亮;  朱阳军;  胡爱斌
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一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210551729.9, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18
作者:  胡爱斌;  卢烁今;  褚为利;  朱阳军
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一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18
作者:  朱阳军;  吴振兴;  田晓丽;  卢烁今;  胡爱斌
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Investigation on the Robustness During Short-Circuit Turn-off and Its Tradeoff Characteristics With Performance in IGBTs 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017
作者:  Yang F(杨飞);  Zhu YJ(朱阳军);  Lu SJ(卢烁今);  Tan J(谭骥)
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