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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2001 [1]
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• 1997 [2]
• 1996 [2]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置 专利  OAI收割 专利号: CN101188346B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08 作者:  古嶋裕司;  阿部博明;  工藤久;  藤本强;  青嶋健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101179179A, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2008-05-14 作者:  古嶋裕司;  今野哲也;  藤本强   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体素子および光通信装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001013472A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999163466A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1215239A, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28 作者:  古嶋裕司   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999087838A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 レーザダイオード素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997129970A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP2647018B2, 申请日期: 1997-05-09, 公开日期: 1997-08-27 作者:  古嶋 裕司;  佐々木 善浩   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 光結合モジュールの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996271766A, 申请日期: 1996-10-18, 公开日期: 1996-10-18 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996125271A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17 作者:  古嶋 裕司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13