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半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3679010B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
作者:  
古谷 章;  穴山 親志;  杉浦 勝己;  中尾 健誠;  長谷川 太郎
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/18
発光素子用ステム及び発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3216396B2, 申请日期: 2001-08-03, 公开日期: 2001-10-09
作者:  
古谷 章;  須藤 久男
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/23
ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2945546B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06
作者:  
近藤 真人;  穴山 親志;  古谷 章;  菅野 真実;  堂面 恵
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998154844A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者:  
古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体装置の組み立て方法及び組み立て装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995335970A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者:  
古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/30
半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995321412A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
作者:  
鬼頭 泰浩;  古谷 章;  須藤 久男;  倉又 朗人;  堀野 和彦
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995263799A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:  
堂免 恵;  古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995263805A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:  
穴山 親志;  古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995162079A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23
作者:  
古谷 章;  堂免 恵;  穴山 親志;  近藤 真人
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995014101B2, 申请日期: 1995-02-15, 公开日期: 1995-02-15
作者:  
古谷 章
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18