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浏览/检索结果: 共133条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE   40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip 会议论文  OAI收割 作者:  Xu XX(许晓欣);  Tai L(台路);  Gong TC(龚天成);  Yin JH(殷嘉浩);  Peng Huang   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/13 A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention 会议论文  OAI收割 作者:  Tai L(台路);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Yu J(余杰);  Luo Q(罗庆)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/13 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11 作者:  刘琦;  刘明   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/03/27 Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2018 作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安)   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/04/12 一种自选通阻变存储器件及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201610282626.5, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-08-03 作者:  吕杭炳;  刘明;  许晓欣;  罗庆;  刘琦   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/03/06 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 专利  OAI收割 专利号: CN201610258335.2, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-07-20 作者:  吕杭炳;  刘明;  刘琦;  龙世兵   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/03/06 Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣);  Yu J(余杰)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/18 Unveiling the Switching Mechanism of a TaOx/HfO2Self-Selective Cell by Probing the Trap Profiles With RTN Measurements 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Gong TC(龚天成);  Luo Q(罗庆);  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Yu J(余杰)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/12 C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/04/18