机构

• 西安光学精密机械研究... [9]

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• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2007 [2]
• 2000 [1]
• 1999 [3]
• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 作者:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21 作者:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999147798A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  奥山 浩之;  喜嶋 悟;  左中 由美   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999150332A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  奥山 浩之;  喜嶋 悟   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999150333A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  奥山 浩之;  喜嶋 悟;  小林 高志   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体層の成長方法および気相成長装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998200211A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31 作者:  奥山 浩之;  喜嶋 悟   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997293934A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11 作者:  喜嶋 悟;  中山 典一;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12 作者:  奥山 浩之;  石橋 晃;  加藤 豪作;  吉田 浩;  中野 一志   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13