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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2008 [1]
2005 [2]
2004 [1]
2000 [1]
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半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2014183220A, 申请日期: 2014-09-29, 公开日期: 2014-09-29
作者:
大久保 伸洋
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半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN101621177B, 申请日期: 2012-02-29, 公开日期: 2012-02-29
作者:
大久保伸洋
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收藏
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半導体レーザ素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4102554B2, 申请日期: 2008-03-28, 公开日期: 2008-06-18
作者:
大久保 伸洋
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收藏
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半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3652072B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
作者:
厚主 文弘
;
大久保 伸洋
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收藏
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半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2005045009A, 申请日期: 2005-02-17, 公开日期: 2005-02-17
作者:
大久保 伸洋
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收藏
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半导体激光器件及其制作方法
专利
OAI收割
专利号: CN1525611A, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01
作者:
大久保伸洋
;
国政文枝
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收藏
|
半導体レーザ素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000223778A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
作者:
大久保 伸洋
;
斉藤 肇
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收藏
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AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999068235A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:
石田 真也
;
大久保 伸洋
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收藏
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III-V族化合物半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998308551A, 申请日期: 1998-11-17, 公开日期: 1998-11-17
作者:
大久保 伸洋
;
厚主 文弘
;
渡辺 昌規
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收藏
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