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• 西安光学精密机械研究... [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2014183220A, 申请日期: 2014-09-29, 公开日期: 2014-09-29 作者:  大久保 伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101621177B, 申请日期: 2012-02-29, 公开日期: 2012-02-29 作者:  大久保伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4102554B2, 申请日期: 2008-03-28, 公开日期: 2008-06-18 作者:  大久保 伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3652072B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25 作者:  厚主 文弘;  大久保 伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005045009A, 申请日期: 2005-02-17, 公开日期: 2005-02-17 作者:  大久保 伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN1525611A, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01 作者:  大久保伸洋;  国政文枝   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000223778A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11 作者:  大久保 伸洋;  斉藤 肇   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 AlGaAs化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999068235A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09 作者:  石田 真也;  大久保 伸洋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 III-V族化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998308551A, 申请日期: 1998-11-17, 公开日期: 1998-11-17 作者:  大久保 伸洋;  厚主 文弘;  渡辺 昌規   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30