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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 专利 [11]

发表日期

• 2010 [1]
• 2003 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21 作者:  多田 仁史;  山口 勉;  川津 善平;  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003069155A, 申请日期: 2003-03-07, 公开日期: 2003-03-07 作者:  谷村 純二;  田代 賀久;  阿部 真司;  笠井 信之;  西口 晴美   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000244063A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08 作者:  宮下 宗治;  西口 晴美;  島 顕洋;  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1999145547A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  西口 晴美;  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998290042A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27 作者:  森野 寧規;  大倉 裕二;  古森 秀樹   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1998209558A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07 作者:  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ,及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998098234A, 申请日期: 1998-04-14, 公开日期: 1998-04-14 作者:  大倉 裕二;  宮下 宗治;  唐木田 昇市   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997064452A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07 作者:  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 単一波長半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2550502B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-06 作者:  大倉 裕二;  川間 吉竜;  武本 彰;  柿本 昇一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995131110A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19 作者:  大倉 裕二;  船場 真司   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13