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• 西安光学精密机械研... [28]

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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3497290B2, 申请日期: 2003-11-28, 公开日期: 2004-02-16 作者:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  石野 正人;  松井 康   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3454181B2, 申请日期: 2003-07-25, 公开日期: 2003-10-06 作者:  木戸口 勲;  大塚 信之;  伴 雄三郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系半導体素子及び製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003017790A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17 作者:  石橋 明彦;  川口 靖利;  大塚 信之   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 歪量子井戸結晶の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3385985B2, 申请日期: 2003-01-10, 公开日期: 2003-03-10 作者:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  石野 正人;  松井 康   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3264179B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11 作者:  稲葉 雄一;  石野 正人;  大塚 信之   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3191669B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-23 作者:  鬼頭 雅弘;  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3166236B2, 申请日期: 2001-03-09, 公开日期: 2001-05-14 作者:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  松井 康   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置又は光導波路およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2969939B2, 申请日期: 1999-08-27, 公开日期: 1999-11-02 作者:  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999220220A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10 作者:  鬼頭 雅弘;  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康;  稲葉 雄一   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998242577A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11 作者:  稲葉 雄一;  石野 正人;  大塚 信之;  鬼頭 雅弘   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13