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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法 专利  OAI收割 专利号: CN109565153A, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02 作者:  大野智辉;  大畑豊治;  小山享宏;  滝口干夫;  田中雅之   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3969029B2, 申请日期: 2007-06-15, 公开日期: 2007-08-29 作者:  琵琶 剛志;  奥山 浩之;  土居 正人;  大畑 豊治   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3449751B2, 申请日期: 2003-07-11, 公开日期: 2003-09-22 作者:  中野 一志;  大畑 豊治;  伊藤 哲;  中山 典一   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3208860B2, 申请日期: 2001-07-13, 公开日期: 2001-09-17 作者:  大畑 豊治;  小川 正道;  根本 和彦;  森 芳文   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3127635B2, 申请日期: 2000-11-10, 公开日期: 2001-01-29 作者:  根本 和彦;  小川 正道;  大畑 豊治   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザーの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2822195B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-11 作者:  成井 啓修;  大畑 豊治;  森 芳文   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1995154035A, 申请日期: 1995-06-16, 公开日期: 1995-06-16 作者:  伊藤 哲;  大畑 豊治;  石橋 晃;  中山 典一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1995122815A, 申请日期: 1995-05-12, 公开日期: 1995-05-12 作者:  大畑 豊治   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994132608A, 申请日期: 1994-05-13, 公开日期: 1994-05-13 作者:  根本 和彦;  大畑 豊治;  小川 正道   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 マルチビーム半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994104535A, 申请日期: 1994-04-15, 公开日期: 1994-04-15 作者:  根本 和彦;  大畑 豊治;  小川 正道   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31